トランジスタ(ベース・エミッタ・コレクタ) とらんじすた
P 形と N 形の半導体を 3 層に重ねた素子で、中央の薄い層がベース、両側がエミッタとコレクタ。小さなベース電流で大きなコレクタ電流を制御する電流増幅作用をもちます。
図記号の電極名が最頻出。矢印の付いた端子がエミッタ、縦線に直接つながる端子がベース、残りがコレクタ。穴埋めは「中間の層は薄く作られ、ベースという」。電流は IE=IB+IC で IC は IE よりわずかに小さい。増幅時のバイアスは B-E 間が順方向、C-B 間が逆方向。
トランジスタは「小さな電流で大きな電流を操る蛇口」です。ベースに少し電流を流すと、エミッタからコレクタへ何十倍もの電流が流れます。この性質を使って、無線機の中で信号を増幅したりスイッチを切り替えたりします。


IE:エミッタ電流、IB:ベース電流、IC:コレクタ電流。IB はごく小さいので IC は IE よりわずかに小さい
典型問題の解き方(図記号の電極名)
令和4年2月期 2陸特 問14:NPN 形の図記号で①②③の電極名は
- 矢印を探す 図記号で矢印が付いている電極はエミッタだけです。矢印のある③がエミッタと決まります
- 縦線を見る 中央の太い縦線に直接つながる電極がベースです。②がベースです
- 残りがコレクタ 矢印がなく斜めに出ている①がコレクタです。答えは「①コレクタ ②ベース ③エミッタ」
- 向きの確認 矢印が外向きなので NPN 形です。電流はベースからエミッタへ流れ出ます
接地方式はエミッタ接地が基本
3 つの接地方式

3アマでは、エミッタ接地回路でベース電圧 Vb を上げていくとコレクタ電流 Ic はどうなるかを問います。B-E 間は PN 接合の順方向なので、Vb を少し上げるだけで Ib が指数関数的に増え、Ic は急激に増加します。一方コレクタ電圧 Vc を変えても Ic はほとんど変わりません。
「IC は IE よりわずかに大きい」は誤りで、IE=IB+IC なので IC は IE より小さいです。増幅に使うバイアスは B-E 順方向・C-B 逆方向で、両方順方向だと飽和、両方逆方向だと遮断になります。「ゲート」「ドレイン」はFETの電極名で、トランジスタの図記号にはありません。

この用語を押さえる問題
図に示す NPN 形トランジスタの図記号において、次に挙げた電極名の組合せのうち、正しいのはどれか。
正答: ①=コレクタ ②=ベース ③=エミッタ
トランジスタの図記号では、縦の太線(ベース領域)に直接つながる端子がベース、矢印の付いた端子がエミッタ、矢印のない端子がコレクタです。NPN 形は矢印が外向きで、電流がベースからエミッタへ流れ出る向きを示します。したがって ① がコレクタ、② がベース、③ がエミッタです。
この問題を解く次の記述の [ ]内に入れるべき字句の組合せで、正しいのはどれか。 接合形トランジスタは、三つの層から出来ている。中間の層は [A] く作られた構造をもち、その層を [B] といい、その両側の層を [C] という。
正答: A=薄 B=ベース C=コレクタ及びエミッタ
正しい組合せです。接合形トランジスタは npn 又は pnp の3層構造で、中間の薄い層をベース、両側の層をエミッタとコレクタといいます。
この問題を解く図のようなトランジスタに流れる電流の性質で、誤っているのはどれか。
正答: ICは IEよりもわずかに大きい。
誤った記述です。IE = IC + IB の関係があるので、IC はエミッタ電流 IE よりもベース電流分だけわずかに小さくなります。これが正答です。
この問題を解く次の記述において[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。 ベース接地で NPN 形トランジスタを増幅に使う場合、ベース・エミッタ間の PN 接合面には[A]方向電圧を、コレクタ・ベース間の PN 接合面には[B]方向電圧を加えるのが標準である。
正答: A:順 B:逆
トランジスタを増幅に使う活性領域では、ベース・エミッタ間を順方向バイアスしてキャリアを注入し、コレクタ・ベース間を逆方向バイアスしてそのキャリアをコレクタに引き込みます。接地方式が変わってもこのバイアスの原則は同じです。
この問題を解く問われた問題 26
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