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トランジスタのバイアス回路(固定・自己・電流帰還) とらんじすたのばいあすかいろ

3アマ 二陸特 一陸技

トランジスタを増幅器として働かせるため、信号が無いときのベース電流とコレクタ電流(動作点)を決めておく直流回路。ベース抵抗のつなぎ方で固定バイアス・自己バイアス・電流帰還バイアスに分かれ、温度に対する安定度が違う。

試験ではここ

令和8年1月期 問11 は自己バイアス回路で IC = 2〔mA〕にする IB と RB を求める計算(hFE = 200、VBE = 0.6〔V〕→ IB = 0.01〔mA〕、RB ≒ 540〔kΩ〕)。IC = hFE·IB と、RB の両端電圧が「コレクタ電圧 − VBE」であることが鍵です。3 方式の安定度の順(電流帰還 > 自己 > 固定)と、各方式の IB の式の穴埋めも定番です。

トランジスタは、ベースに少し電流を流しておかないと信号の負の側が切れてしまいます。そこであらかじめ直流のベース電流 IB を流し、コレクタ電流 IC を電源電圧の真ん中あたりに置いておきます。これがバイアスです。IB をどこから取るかで 3 つの回路があり、温度が上がったとき IC がどれだけ増えてしまうか(安定度)が変わります。

バイアス回路の 3 方式
固定バイアス・自己バイアス・電流帰還バイアスの 3 回路。RB をどこにつなぐか、RE があるかで見分ける
ベース電流とコレクタ電流
I_C = h_{FE}\, I_B, \qquad I_E = I_C + I_B = (1 + h_{FE})\, I_B

hFE はエミッタ接地の直流電流増幅率(100〜数百)。IC を決めてから IB = IC/hFE で逆算するのが計算の出発点

固定バイアスの IB
I_B = \dfrac{V - V_{BE}}{R_B}

RB を電源 V から直接ベースへ。V と RB だけで IB が決まり hFE の変化に追従しないので、温度で IC が増えても止める仕組みがない(安定度が最も悪い)

自己バイアス(コレクタ帰還)の IB
I_B = \dfrac{V - R_C (I_C + I_B) - V_{BE}}{R_B} = \dfrac{V_C - V_{BE}}{R_B}

RB はコレクタからベースへ。IC が増えるとコレクタ電圧 VC が下がり IB が減るので、IC の増加が抑えられる。RC には IC + IB が流れることに注意

電流帰還バイアスのエミッタ電流
V_B \fallingdotseq \dfrac{R_2}{R_1 + R_2} V, \qquad I_E = \dfrac{V_B - V_{BE}}{R_E}

R1・R2 の分圧でベース電圧を固定し、RE で IE を決める。IC が増えると RE の電圧が上がり VBE が減って IB が減る。hFE にほとんど依らず最も安定。RE の交流分はバイパスコンデンサで逃がす

自己バイアス回路の電流と電圧(令和8年1月期 問11)
令和8年1月期 問11 の自己バイアス回路。RB の両端は VC − VBE、RC には IC + IB が流れる

典型問題の解き方(自己バイアスで IC = 2〔mA〕、hFE = 200、VBE = 0.6〔V〕、RC = 2〔kΩ〕、V = 10〔V〕)

手順

  1. ベース電流を出す IB = IC/hFE = 2/200 = 0.01〔mA〕
  2. RC に流れる電流 RB がコレクタから分岐しているので RC には IC + IB = 2.01〔mA〕が流れる
  3. コレクタ電圧 VC = V − RC(IC + IB) = 10 − 2×10³×2.01×10⁻³ ≒ 5.98〔V〕
  4. RB の両端電圧 RB はコレクタとベースの間なので VC − VBE = 5.98 − 0.6 = 5.38〔V〕
  5. RB を出す RB = 5.38/(0.01×10⁻³) = 538×10³ ≒ 540〔kΩ〕。電源 10〔V〕から引いた (10 − 0.6)/0.01m = 940〔kΩ〕は固定バイアスの式で誤り

安定度の順と理由

  1. 電流帰還バイアス(最も安定) RE の電圧降下が IC の増加をベースに負帰還する。hFE のばらつきや温度に強い
  2. 自己バイアス コレクタ電圧の低下を通じて IB を減らす。固定より安定だが、交流も負帰還されて利得が下がる
  3. 固定バイアス(最も不安定) IB が一定なので IC = hFE·IB は hFE の増加をそのまま受ける。温度上昇 → IC 増 → さらに温度上昇の熱暴走を起こしやすい
温度上昇で動作点はどう動くか
温度が上がって hFE や ICBO が増えたときの動作点の動き。負帰還のある回路ほど動作点が動かない
ひっかけ

自己バイアスの RB は「電源」ではなく「コレクタ」につながっています。RB の電圧を V − VBE で計算すると値が 2 倍近く違います。また VBE は 0〔V〕ではなく 0.6〜0.7〔V〕を引きます。IB = IC/hFE の hFE は直流の電流増幅率で、小信号の hfe と混同しないこと。安定度は「電流帰還 > 自己 > 固定」で、肢では順を逆にして出ます。

上部の看板「IB = IC / hFE
IB = IC/hFE で出発し、RB の両端がどこからどこかを図で確かめる

この用語を押さえる問題

一陸技 ・ 日本無線協会 令和8年1月期 無線工学の基礎 問11

図に示すトランジスタ (Tr) の自己バイアス回路において、コレクタ電流 IC を 2〔mA〕にするためのベース電流 IB と抵抗 RB の値の組合せとして、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、Tr のエミッタ接地直流電流増幅率 hFE を 200、回路のベース-エミッ...

正答: IB=0.01〔mA〕 RB=540〔kΩ〕

正しい。IB = IC/hFE = 2〔mA〕/200 = 0.01〔mA〕。RC には IC + IB ≒ 2.01〔mA〕が流れるので、コレクタ電圧は VC = 10 − 2×10³×2.01×10⁻³ ≒ 5.98〔V〕。RB はコレクタとベースの間にあり、両端電圧は VC − VBE = 5.98 − 0.6 = 5.38〔V〕。RB = 5.38/(0.01×10⁻³) = 538×10³ ≒ 540〔kΩ〕。

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問われた問題 3

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